삼성전자가 실리콘 카바이드(SiC) 반도체 위탁생산 사업을 다시 추진하고 있습니다. SiC는 차세대 전력반도체 소재로 인기를 끌고 있으며, 이를 통해 삼성전자는 주도적인 입지를 확보하고 기존 8인치 파운드리 라인을 보다 효율적으로 활용하려는 전략을 세우고 있습니다. 업계에서는 삼성전자가 2028년 SiC 양산에 돌입할 것으로 예상되고 있습니다.
최근 삼성전자는 협력사와 함께 SiC 생산 라인 구축에 대한 논의를 재개했습니다. 이를 통해 소재·부품·장비 기업과 기술 확보 및 사업화 전략을 모색하고 있으며, 일부 협력사와는 SiC 생산을 위한 추가 장비 도입 규모에 대해 협의 중인 것으로 전해졌습니다. 이러한 움직임은 삼성전자가 SiC 파운드리 사업을 다시 가동하고 있다는 신호로 해석되고 있습니다.
SiC는 실리콘과 탄소 화합물로, 고온·고전압 환경에서 강한 성능을 보이는 반도체 소재입니다. 이러한 특성으로 인해 SiC는 차세대 전력 반도체로 주목받고 있으며, 고성능과 안정성 면에서 기존 실리콘 기반 반도체보다 우위를 보입니다. 이에 다수의 전력반도체 기업이 SiC 및 질화갈륨(GaN) 투자를 늘리며 시장을 공략하고 있습니다.
삼성전자는 2023년 GaN 사업 진출을 공식화한 후 SiC 사업도 준비하고 있습니다. 8인치 파운드리 수요의 감소로 새로운 성장 동력을 확보하기 위해 SiC에 주력하고 있으며, 8인치 라인의 활용도를 높일 수 있는 SiC를 미래 사업으로 채택한 것입니다. 이를 통해 투자 효율성을 높이고 차세대 전력반도체 시장에서 경쟁력을 확보하고자 하고 있습니다.
최근 삼성전자의 움직임은 SiC 사업을 본격적으로 추진하는 신호로 받아들여지고 있습니다. 이는 메모리 사업 회복과 함께 파운드리에서도 차세대 성장 동력을 확보하려는 전략의 일환이라고 볼 수 있습니다. 이에 삼성전자는 현재 논의를 토대로 올해 안에 SiC 공급망 구축을 시작하고 내년에는 시제품 생산을 위한 파일롯 라인을 구축할 예정이며, 2028년에 본격적인 양산에 돌입할 것으로 예상됩니다.
이러한 삼성전자의 움직임을 통해 SiC 시장에서 기존 업체들과의 경쟁이 예상되고 있습니다. 글로벌 기업으로는 온세미, ST마이크로일렉트로닉스, 인피니언 등이, 국내에서는 DB하이텍, SK키파운드리가 SiC 사업을 추진 중입니다. 삼성전자 측은 아직 구체적인 사항에 대해 공식 발표하지 않았습니다.