소프트뱅크의 AI 메모리 전문 자회사 사이메모리(SAIMEMORY)가 인텔과 협력하여 개발한 차세대 3D 메모리 기술이 공개되었습니다. 이 기술은 극도로 얇은 3마이크로미터 두께의 칩을 9층으로 적층하여 완전 접합하는 방식을 사용함으로써 고대역폭메모리(HBM)의 한계를 극복했습니다.
사이메모리 연구팀은 오는 6월 미국 하와이에서 열리는 VLSI 심포지엄에서 HB3DM(Hybrid Bonded 3D Memory) 기술을 최초로 발표할 예정입니다. HB3DM은 AI 칩에서 사용되는 HBM의 주요 단점을 보완한 차세대 기술로, 전력 소비가 높고 발열이 크며 용량 확대에 한계가 있는 HBM의 문제를 해결합니다.
HB3DM은 칩을 3마이크로미터 두께로 극박화한 뒤 9층으로 적층하고, 퓨전 본딩(Fusion Bonding) 기술로 층과 층을 거의 완전히 접합합니다. 이를 통해 신호 전달 속도가 빨라지고 전력 효율이 개선되었으며, 높은 대역폭을 낮은 전력으로 구현할 수 있게 되었습니다.
HB3DM은 AI 데이터센터의 전력 비용 문제를 완화하는데 효과적이며, 특정 워크로드에서도 유리할 것으로 전망됩니다. 다만 용량이 부족한 점은 아직 개선이 필요합니다.
사이메모리는 소프트뱅크의 자회사로, 인텔과 기술 협력을 맺고 ZAM(Z-Angle Memory) 프로젝트를 공동 진행 중입니다. HB3DM은 이 프로젝트의 첫 공식 성과이며, 양사는 프로토타입 완성과 상용화를 목표로 하고 있습니다.
이번 기술 발표는 하이브리드 본딩 기반 3D 적층 기술이 HBM 중심 시장에 새로운 대안으로 부상하고 있음을 보여줍니다. 미래에는 HB3DM 기반 제품이 HBM4를 도전할 가능성이 높다는 평가도 있지만, 대량 생산에 대한 경험 부족이 약점으로 지적되고 있습니다.