삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 기술을 혁신하여 성능을 대폭 향상시키고, 차세대 메모리 시장을 선도하고자 한다. 삼성전자 최장석 DS부문 메모리사업부 상무는 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완 2026' 메모리 이그제큐티브 서밋에서 이 같은 전략을 공개했다.
삼성전자는 HBM5 기술을 통해 HBM4E 대비 성능을 2배 향상시키고, AI 가속기의 고성능·저전력 요구에 대응하고자 한다. 또한, zHBM은 HBM4E 대비 성능을 8배 향상시키고, 대용량 메모리 수요를 충족하기 위한 zNAND-O 개발도 추진 중이다.
이러한 차세대 메모리 기술 개발 방향은 'CUBE' 전략으로 구체화되었으며, 용량, 최적화, 대역폭, 전력·열 효율을 동시에 향상시키는 것을 목표로 한다. 삼성전자는 범용 D램·낸드뿐만 아니라 HBM, 기업용 SSD, zHBM·zNAND-O까지 제품군을 확대하여 AI 메모리 시장을 주도할 계획이다.
최 상무는 “3D의 최종 목표는 단일 비트의 데이터를 이동시키는 데 필요한 에너지를 줄이는 것”이라며 “구조적 효율성을 높여 와트당 성능을 극대화하고 있다”고 강조했다.세미콘 타이완은 오는 2일부터 4일까지 열리는 글로벌 반도체 행사로, 국제반도체장비재료협회(SEMI)가 주최한다.