현대모비스가 차세대 전기차의 중요한 부품인 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 분야에서 독자적인 특허를 확보하고 전용 조직을 설립하여 차량용 반도체 내재화를 가속화하고 있습니다. 지난해 이규석 현대모비스 사장이 발표한 '2026년 전력반도체 양산' 및 '2030년 차량용 반도체 10% 국산화' 로드맵은 실질적인 양산 공정 최적화로 나아가고 있습니다.
현대모비스는 올해 상반기에 '실리콘카바이드(SiC) 트렌치 게이트 전력 반도체 소자 및 제조 방법'과 '전력 반도체 소자 및 칩 제조 방법', '파워모듈용 메탈 클립' 등 전력반도체 관련 주요 특허를 등록하였습니다. SiC 트렌치 소자 특허는 4년간의 연구개발을 통해 고전압 및 고효율 구동 환경에서 전력 손실을 줄이고 칩 크기를 줄일 수 있는 차세대 전력반도체의 핵심 기술입니다.
또한, 현대모비스는 R&D 성과를 양산으로 이어가기 위해 조직을 개편하였습니다. 이를 위해 온세미컨덕터 출신인 이규현 상무를 영입하고, 'IGBT양산기술최적화TFT' 부서를 신설하여 양산 적용을 위한 조치를 취하고 있습니다. 이러한 노력을 통해 전력반도체 분야에서 기술 경쟁력을 강화하고 있습니다.
현대모비스는 반기보고서에서 “전력 반도체 영역에서 인버터의 핵심 부품인 실리콘(Si) 및 SiC 전력 반도체를 자체 설계하고, 국내 파운드리와의 파트너십을 통해 양산 체계를 강화하고 있다”고 밝혔습니다. 이러한 노력은 현대모비스가 추진해 온 중장기 반도체 자립 전략의 연장선으로, 현대차그룹 전동화 공급망의 안정성을 높일 것으로 예상됩니다.
현대차그룹은 SiC 전력반도체를 활용하여 전기차의 주행거리를 연장하고 에너지 효율을 향상시킬 수 있습니다. 현대모비스의 자체 설계 및 양산망 구축은 현대차그룹의 전동화 공급망 안정성을 한층 높일 것으로 기대됩니다. 이러한 노력은 전동화 전환기술의 경쟁력을 강화할 것으로 예상됩니다.