삼성전자 SAIT(삼성종합기술원)과 GIST 중앙기기연구소, 미국 매사추세츠공과대학교(MIT) 연구진이 협력하여 개발한 탄소 활용 초미세 배선 저항 감소 기술이 '사이언스' 학술지에 발표되었다. 이 기술은 AI 반도체의 성능 경쟁에서 중요한 역할을 할 것으로 예상되며, 회로 미세화로 인한 배선 저항 증가 문제를 해결하기 위해 루테늄에 미량 탄소를 첨가하는 방식을 사용했다.
연구진은 루테늄에 미량 탄소를 첨가하여 결정 방향을 조절하고, 결정립계를 제어함으로써 초미세 배선의 저항을 크게 낮추는 기술을 개발했다. 이로써 루테늄에서 99% 이상의 결정이 같은 방향으로 정렬되는 박막을 구현할 수 있었으며, 이 기술이 실제 반도체 공정에 적용될 경우 AI 및 HPC용 반도체의 성능 향상과 전력 손실 감소에 기여할 것으로 전망된다.
이 연구는 삼성전자 SAIT 연구진을 중심으로 이뤄졌으며, 삼성전자 SAIT 소속의 임용철·하윤후 박사와 이영민 연구원, 그리고 GIST 중앙기기연구소 소속의 조용륜 박사 등 총 13명의 저자가 참여했다.