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TSMC, 옹스트롬급 기술 돌파! 후면 전력-기존 설계 동시 성공!

TSMC가 옹스트롬급(2나노 이하) 최첨단 선단 공정인 A16에서 후면 전력 공급 기술 우위를 확보하며 경쟁에서 한 발 앞섰다. 후면 전력 기술은 기존 칩에서 전력 공급 경로와 신호 경로가 동일 공간에 혼재하며 발생하던 병목 현상을 해결하기 위해 등장한 기술이다. 18일 업계에 따르면 TSMC는 업계 최초로 '슈퍼 파워 레일(SPR)' 후면 전력 공급 방식

이정원기자

Aug 18, 2026 • 1 min read

TSMC가 A16에서 후면 전력 공급 기술을 성공적으로 도입하여 경쟁에서 우위를 점했다. 이 기술은 전력 공급과 신호 경로를 분리함으로써 이전에 발생했던 병목 현상을 해결한다. 이로써 기존 칩과의 호환성을 유지하면서 성능을 향상시키는데 성공했다.

TSMC의 '슈퍼 파워 레일(SPR)' 후면 전력 공급 방식은 N2P 공정의 게이트 밀도와 설계 유연성을 유지하면서 성공적으로 개발되었다. 기존의 전력 및 신호 배선이 함께 배치되는 방식에서 발생하는 문제를 해결하기 위해 셀 구조와 트랜지스터 배치 방식을 변경했다.

이 기술을 적용하면 동일 전력에서 속도를 8~10% 높이거나, 동일 속도에서 전력을 15~20% 줄일 수 있으며, 칩 밀도도 8~10% 향상된다. AI 및 HPC 칩에 특히 적합하다고 평가되며, 양산은 올해 4분기부터 시작될 예정이다. 이에 대해 업계 관계자들은 옹스트롬급 시대에 공정 기술과 설계 생태계 양면에서 치열한 기술 경쟁이 벌어지고 있다고 설명했다.

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에이테크뉴스 이정원기자(ethegarden@nolm.kr)