삼성전자가 최신 기술인 인공지능(AI) 가속기에 고대역폭메모리(HBM)를 수직으로 쌓는 차세대 3차원(3D) 메모리 아키텍처를 발표했습니다. 이는 AI 시대에 필요한 데이터 처리 성능과 전력효율을 높이는 것을 목표로 합니다.
이번 발표는 삼성전자가 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 'FMS 2026'에서 'zHBM'과 'zNAND-O'의 목업을 업계 최초로 공개한 것입니다. zHBM은 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 쌓아 데이터 이동 거리를 줄여 대역폭과 전력효율을 향상시켰습니다.
이러한 zHBM은 HBM5와 비교하여 그래픽처리장치(GPU)당 성능이 최대 8배 향상되고, 전력 대비 성능도 최대 3배 개선된 것으로 알려졌습니다. 또한, 발열 제어 면에서도 열 저항이 절반 이상 감소하여 더욱 효율적입니다.
삼성전자는 또한 낸드플래시에서도 3D 메모리 아키텍처인 'zNAND-O'를 소개했습니다. 이 제품은 V낸드의 수직 적층 기술과 실리콘관통전극(TSV) 기술을 결합하여 고성능 낸드플래시 솔루션으로, 온디바이스 AI 기기에서 대규모 데이터 처리를 지원하는 데 초점을 맞추었습니다.
최근 고성능 컴퓨팅과 AI 인프라 수요가 증가하면서 삼성전자는 이들 3D 메모리를 기반으로 한 새로운 기술을 통해 시장에 대응할 계획입니다. 이를 통해 데이터 처리 성능과 전력효율을 높일 수 있게 되었습니다.