국방과 우주, 그리고 차세대 통신 분야에서 사용되는 고성능 화합물 반도체 소자의 국산화 기반이 확립되었습니다. 한국나노기술원(KANC)은 4인치 '비소화갈륨(GaAs) 변성 고전자 이동도 트랜지스터(mHEMT)' 제조 공정에서 95% 이상의 수율을 달성했습니다. GaAs mHEMT는 실리콘(Si) 대비 전자 이동 속도가 빠르며, 극한 환경에서도 안정성을 보장하여 국방 분야에서 중요한 역할을 합니다.
과거에는 해외에서 대부분의 고성능 반도체를 수입해야 했던 상황이었지만, 이제는 국내에서 4인치 대면적 웨이퍼를 생산하는 데 성공했습니다. 또한, 나노기술원은 송수신 통합 칩(MMIC) 설계를 위한 공정 설계 키트(PDK) 제작에도 착수했습니다. 이를 통해 국내 기업이 고성능 칩을 직접 설계하고 양산할 수 있는 환경을 조성하고 있습니다. 또한 MPW(Multi-Project Wafer) 지원을 통해 중소 팹리스 기업의 시제품 제작 비용을 크게 낮춰 국내 화합물 반도체 산업의 경쟁력을 향상시킬 것으로 기대됩니다.
이러한 노력을 통해 고성능 화합물 반도체의 국내 생산 비용을 낮추고 공급 속도를 높이는 전환점이 될 것으로 전망되며, 95%의 수율은 상용화와 양산이 가능한 안정성을 보장한다는 의미를 가지고 있습니다. 이러한 성과는 국내 화합물 반도체 산업의 발전과 자생력 강화에 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다.