삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM)에 10나노미터(㎚)급 D램 '1d'을 도입할 예정이다.
16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 개최된 엔비디아의 연례 개발자회의 'GTC 2026'에서 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "HBM4를 전체 HBM의 절반 이상으로 확대하는 것이 목표"라며 "공급이 부족한 경우에는 프리미엄 제품에 집중할 것"이라고 밝혔다.
또한 황 부사장은 6세대 HBM4와 7세대 HBM4E에서 사용될 D램인 '베이스 다이'는 같은 4㎚ 공정을 사용할 것이며, HBM5는 2㎚ 공정으로 개발될 예정이라고 설명했다.
1d를 적용한 HBM5E에 대한 개발 작업이 진행 중이며, 이는 삼성전자가 새로운 기술과 성능을 향상시키기 위해 계획 중인 것이다. 현재 삼성전자 내부에서는 1d D램의 성능과 테스트 수율이 우수하다고 전해지고 있다.
1d D램의 개발이 완료되면 삼성전자는 빠른 양산 전환을 진행할 예정이다.