한국연구재단에 따르면, 고려대 교수 연구팀이 새로운 차세대 스핀메모리 기술을 개발했다고 25일 발표했습니다. 이 기술은 영하의 극한 환경에서 작동할 수 있으며, 구동 전류를 절반 수준으로 낮출 수 있습니다.
스핀트로닉스는 전자의 스핀(회전)을 활용하여 정보를 저장하고 처리하는 기술을 말합니다. 이 기술을 적용한 자기저항메모리(MRAM)는 전원이 꺼져도 데이터를 유지할 수 있는 메모리로, 저전력 및 고속 동작이 가능해 다음 세대 메모리로 주목받고 있습니다.
연구팀은 스핀-궤도 토크(SOT) 기반 MRAM의 성능을 향상시키기 위해 β-텅스텐에 티타늄을 소량 첨가한 합금을 개발했습니다. 이를 통해 스핀 전류 발생 소재의 안정성과 효율을 개선했습니다. 실험 결과, 최적 조성에서 약 1.8배 성능이 향상되었으며, 전력 소비도 절반 수준으로 줄어들었습니다.
김영근 교수는 이 연구가 저전력 구동과 극한 온도 안정성을 모두 확보한 것으로, 차량용 반도체를 포함한 신뢰성 높은 차세대 메모리 구현에 중요한 기반이 될 것이라고 강조했습니다.