인텔이 'Z 앵글 메모리(ZAM)' 기술에 대한 특허를 확보하며 고대역폭메모리(HBM) 대안으로 주목을 받고 있다. 이 기술은 인공지능(AI) 메모리의 전력 소모와 발열을 혁신적으로 줄일 수 있는 것으로 분석되며 후발주자들의 추격을 막기 위한 전략으로 작용하고 있다.
최근 미국에서 공개된 특허에 따르면, 인텔은 소프트뱅크와 공동으로 개발 중인 ZAM 구동에 대한 특허를 발표했다. ZAM은 HBM과 유사하게 D램을 수직으로 쌓아 데이터를 주고받는데 사용되는 실리콘관통전극(TSV) 수를 대폭 줄이는 차세대 메모리 기술이다.
이 특허는 ZAM을 구성하는 각 D램 반도체(다이)를 필요에 따라 분할하여 활성화하는 방법을 제시하고 있다. 이는 D램 적층구조의 발열과 전력 소모를 개선하고 속도(대역폭)를 높일 수 있는 개념이다. 또한 후속적인 특허는 ZAM의 운용 방법을 제시하며, 인텔이 ZAM 기술에 대한 권리를 강화하고 경쟁자들로부터의 우회 가능성을 막기 위한 노력으로 해석된다.
인텔은 소프트뱅크와 협력하여 ZAM를 개발하고 있으며, 이 기술을 통해 전력 소비를 40~50% 줄이는 것을 목표로 하고 있다. Z-앵글 구조를 활용하여 생산성을 향상시키는 한편, ZAM 칩의 용량을 증가시키고 새로운 반도체 패키징 기술 'NGDB'를 개발 중이다. 2029~2030년에 상용화를 목표로 하고 있는 ZAM 기술은 이미 일본에서 공개되었으며, 업계에서는 이를 통해 HBM 기술의 판도가 변화할 것으로 기대하고 있다.