엔비디아와 같은 대형 기술 기업들이 차세대 인공지능(AI) 가속기의 성능을 극대화하기 위해 '고성능 중심' 메모리 공급 전략을 고려하고 있다고 업계에서 예상된다. 이러한 전략에서는 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 시장에서 기술적으로 우세한 삼성전자가 유리한 위치에 있게 될 것으로 보인다.
엔비디아는 HBM4 공급의 안정성과 성능을 모두 고려하기 위해 '듀얼 빈(Dual Bin)' 구조를 검토하고 있는 것으로 알려졌다. 이는 동일한 칩을 최상위-차상위 등급으로 구분하여 공급하는 전략으로, 빅테크 기업들은 핵심 제품에는 11.7Gbps 이상의 '최상위 빈'을 사용하고 보완 제품에는 10Gbps대의 '차상위 빈'을 동시에 적용할 것으로 예상된다.
특히, 엔비디아는 저사양 물량 확대보다는 고성능 제품에 중점을 두는 것으로 알려져 있으며, 이는 AI 가속기의 최고 성능을 추구하는 데 중요한 역할을 할 것으로 예상된다.
빅테크 기업들은 차세대 AI 가속기를 개발하는 과정에서 메모리 병목 현상을 극복하기 위해 노력하고 있다. 삼성전자가 생산하는 HBM4는 11.7Gbps의 속도로 동작하며, 1c(6세대 10나노급) D램과 4나노 기반 베이스 다이를 사용하고 있다. 이 수치는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)의 표준을 상회하며, 향후 최대 13Gbps까지 성능을 향상시킬 수 있다는 전망이다.
업계 관계자는 “엔비디아가 물량 확보에만 신경쓰는 것이 아니라 가속기 성능 향상에 집중하고 있다”며 “삼성전자가 안정적으로 최상위 빈을 생산할 수 있는 영향력이 더욱 강해질 것”이라고 설명했다.