삼성전자가 새로운 기술인 하이브리드 구리 접합(Hybrid Copper Bonding, HCB)을 통해 차세대 고대역폭메모리(HBM4E) 패키징의 열 관리 우위를 입증했다. 이 기술은 기존의 열압착 접합(TCB)보다 우수한 결과를 보여주며, 실제 서버 환경에서도 뚜렷한 성능을 보였다. 이에 따라 HCB를 적용하면 높은 층수의 적층에서 발생하는 열 문제를 효과적으로 해결할 수 있어, HBM4E의 양산 경쟁력을 향상시킬 것으로 전망된다. 이 연구는 IEEE에 발표되었으며, 다양한 실험과 시뮬레이션을 통해 정밀한 분석을 진행했다. 또한 HCB의 열 방출 효율을 높이기 위한 설계 방향도 함께 제시되었다. 이번 연구 결과는 차세대 고성능 컴퓨팅 패키징 분야에서 폭넓게 활용될 것으로 기대된다.
삼성, 열을 완벽히 조절하는 '하이브리드 본딩 기술'로 혁신 나선다!
삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM4E) 패키징에서 추구하는 고적층 전략의 기술적 우수성을 객관적으로 입증했다. 하이브리드 구리 접합(Hybrid Copper Bonding, HCB) 기술이 기존 열압착 접합(Thermo-Compression Bonding, TCB) 대비 열 관리 측면에서 뚜렷한 우위를 가진다는 정량적 연구 결과를 처음으로 발표했다.
이정원기자
Jun 25, 2026 • 1 min read
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에이테크뉴스 이정원기자(ethegarden@nolm.kr)