SK하이닉스가 차세대 D램 생산 거점인 M15X에 극자외선(EUV) 장비를 우선 배치하기로 확정했습니다. 이를 통해 M15X는 고대역폭메모리(HBM) 뿐 아니라 10나노급 5세대(1b) 기반 범용 D램 생산 능력을 크게 확대할 것으로 예상됩니다.
SK하이닉스는 최근 12조원 규모의 ASML EUV 장비를 청주 M15X에 우선 투입할 예정입니다. M15X가 양산 확대를 위한 주요 배치처로 지목되었으며, 현재 1b D램 생산 거점으로 월 2만장 이상의 생산 능력을 갖추고 있습니다. 이를 내년까지 8만장 이상으로 확대할 계획이며, 이번 EUV 장비 배치는 생산 능력 확대 계획을 지원할 것으로 예상됩니다.
1b D램은 SK하이닉스의 10나노급 5세대 선단 공정으로, HBM을 비롯한 고성능 범용 D램에 적용되는 중요한 노드입니다. 이러한 생산 능력 확대는 메모리 수요 증가에 대응하기 위한 조치로 이해됩니다. 또한, SK하이닉스는 10나노급 6세대 D램(1c) 양산 확대도 계획 중이며, 2027년까지 순차적으로 EUV 장비를 도입할 예정입니다.
이번 결정은 ASML로부터 11조9496억원 규모의 EUV 장비를 도입한 후 나선 것으로, 이 장비를 M15X에 배치함으로써 이 곳을 선단 D램 증산의 중심 거점으로 정하고자 하는 의지가 반영되었습니다. 이는 SK하이닉스가 고대역폭메모리와 범용 메모리 수요 증가에 대비하여 생산 능력을 강화하고자 하는 전략의 일환이라고 볼 수 있습니다.